2月26日，美光發(fā)布了專為安卓旗艦機打造的UFS 2．1標準閃存，容量設計為64GB、128GB和256GB。

顆粒選用TLC，3D 64層堆疊，美光強調(diào)基于人工智能技術(shù)進行了APP打開、運行有關(guān)的性能優(yōu)化。

由于是第二代3D閃存，美光稱性能提升了50％。

單Die面積59．341mm2，32GB，號稱業(yè)內(nèi)最小。因此，在同樣芯片面積下的總?cè)萘糠?/span>

新閃存將于今春發(fā)貨，2018年下半年開始出現(xiàn)在智能機中。

由于此前，UFS2．1能穩(wěn)定供貨的只有三星和東芝，導致價格較高，美光的強勢加入將有助于廠商增加議價的籌碼，給消費者創(chuàng)造實惠。

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