
飛秒激光可以追蹤到原子和分子的運動,卻跟不上電子的運動。而1阿秒是10-18秒,在1阿秒內(nèi)光只走不到百萬分之一毫米,也只有阿秒級激光才能“趕上”分子內(nèi)的電子。 [詳情]

松下開發(fā)出使Si基板GaN功率晶體管耐壓提高5倍的技術(shù)
松下半導(dǎo)體解明了GaN功率晶體管的耐壓只取決于GaN膜耐壓的原因,并對該問題產(chǎn)生的原因——流過硅基板和GaN表面的泄漏電流進行了抑制,從而提高了GaN功率晶體管的耐壓。結(jié)果,使GaN膜厚度達到1.9μm,耐壓達到2200V,提高至原來的5倍以上。 [詳情]

近日,據(jù)相關(guān)媒體報道,Aachen Fraunhofer學(xué)院的科學(xué)家為飛利浦研制了一種最新的OLED制作方法。新方法的使用將有效的減少原材料的浪費。 [詳情]